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多肽修复石墨烯面膜——广州美美斯生物科技有限公司，是专门做面膜的厂家

一种石墨烯面膜布的制作方法

本实用新型涉及一种面膜布，特别涉及一种石墨烯面膜布

背景技术：

面膜，是***中的一个类别。其基本也是重要的目的是弥补卸妆与洗脸仍然不足的清洁工作，在此基础上配合其它精华成分实现其它的***功能，例如***、***、、平衡油脂等等，但是现有的面膜不适用于不同大小的脸部，贴附性差，生物质石墨烯，不仅具有石墨烯良好的导热、导电导磁等性能，还具备的吸附、远红外发射、抑菌、防紫外线和生成负离子等特性。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种石墨烯面膜布，以解决上述背景技术中提出的现有的面膜不适用于不同大小的脸部，贴附性差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种石墨烯面膜布，包括面膜，所述面膜的顶部开设有两个眼孔，所述面膜的中部开设有鼻孔，所述面膜的底部开设有嘴孔，所述面膜的两侧均固定设有弹性绳，所述鼻孔的底部设有与面膜固定连接的凸包，所述凸包的内部放置有香料，所述面膜的边侧开设有若干个缓冲槽，所述缓冲槽的内部固定设有弹，所述面膜正面的脸颊处开设有缓冲孔，所述缓冲孔的内部固定设有第二弹。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述面膜包括负离子层、石墨烯层和生物纤维层，所述负离子层的底部固定设有石墨烯层，所述石墨烯层的底部固定设有生物纤维层。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述凸包的表面开设有若干个透气孔。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述面膜开设有若干个第二透气孔。

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石墨烯是一种二维晶体，大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。

这使得石墨烯中的电子，或地，应称为“载荷子”(electric charge carrier)，的性质和相对论性的中微子非常相似。

人们常见的石墨是由一层层以蜂窝状有序排列的平面碳原子堆叠而形成的，石墨的层间作用力较弱，很容易互相剥离，形成薄薄的石墨片。

从2018年开始，部分热播古装剧的开头就经常可以看到某品牌石墨烯面膜的广告，女人爱美，古往今来都如此。一款好用的面膜，可以改善肌肤，提升气色，敷面膜，是很多女生熬夜、约会的必备流程。

当然，面膜并不是女士的专属用品，很多男生也会使用面膜补水护理皮肤。

然而当今面膜市场产品良莠不齐，质量差的面膜不仅没有护肤的***，甚至还会引起***、等。

因此，在选择面膜的时候，一定要选择可靠的品牌。

美国加利福尼亚大学里佛塞德分校的研究人员发现，虽然石墨烯这种“未来材料”有望在众多技术领域实现巨大突破，但是这种材料并不安全。它可能会对***健康和周边环境造成灾难性影响。

石墨烯是一种具有特殊性能的材料，很多人都会将它与电子行业的未来联系在一起。石墨烯比钢更坚固，同时还具有高导电性。它是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。这些特性使得人们认为它是一种为未来突破性发明奠定基础的材料。

可是直到近，却很少有人做过新材料对环境影响的实验。经过长期研究，美国加州大学佛塞德分校的研究人员认为，石墨烯可能是一种***的材料。

当石墨烯落入地下水时，其内部的六边形结构开始崩溃，石墨烯微粒也很快地失去了稳定性。当然，这一变化本身是不会产生显著危害的。但是这一现象会导致地表水受到石墨烯污染，其后果可能是非常严重的。

石墨烯的分子结构决定了其本身具***性，因此，科学家呼吁：应当在仔细研究石墨烯特性之后，再决定是否将它应用于电子行业之中。

不过，光凭这一点恐怕无法阻止人类大规模使用石墨烯。因为这种材料的属性早已决定了它的性。没有任何一种合金能拥有它这样的热传导率、耐用性和导电性。电子在石墨烯结构中的移动速度是在硅中的100倍，目前地球上没有一种电子材料能够超越它。

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一种石墨烯薄膜的制备方法与流程

本发明提出了一种石墨烯的制备工艺，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。

石墨烯具有的结构和优异的性能,近年来在石墨烯的制备上已取得了不少重要进展。目前石墨烯主要通过化学方法来制备，常用的方法有晶体外延生长法，氧化还原法和化学气相沉积法(cvd)，其中cvd法是近年来发展迅速的制备石墨烯的方法，得到的石墨烯质量高、面积大，逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。

cvd法主要利用金属铜箔作为催化剂来制备石墨烯，其基本原理是:或等碳源气体在高温下裂解，并在铜箔催化剂表面生成石墨烯，然后转移至绝缘衬底表面。通常cvd法制备的石墨烯薄膜需要转移到目标衬底表面。

转移时，先旋涂上一层胶(例如pmma)保护薄膜，再用腐蚀溶液(例如feno3,fecl3)腐蚀金属铜箔。此过程中需要使用腐蚀性溶剂，金属铜也被溶解到溶液中变成铜金属离子，变成了废液。如要再变成金属铜需要对含铜离子的溶液进行进一步的处理(例如，采用置换反应置换出铜)。

由此可以看出传统的石墨烯转移工艺副产物多，成本高。